IT之家11月27日消息，ISSCC官网现已公布2025IEEEISSCC国际固态电路会议的日程，该会议将于明年2月16日~20日在美国加州旧金山举行。
包括英特尔CEO帕特・基辛格、三星电子DS部存储器业务负责人李祯培在内的四位业内人士将在17日的全体会议上发表演讲。帕特・基辛格将介绍AI领域各层级的一系列技术，李祯培则将聚焦各类AI存储器及其发展。
在具体会议日程中，SRAM、非易失性存储与DRAM专题均在2月19日举行。
其中台积电将介绍存储密度达38.1Mb/mm2的2nmNanosheet制程SRAM，英特尔也将展示采用BSPDN背面供电设计的Intel18ARibbonFET工艺高密度SRAM。
而在非易失性存储与DRAM领域，各主题内容如下：
三星电子将带来28Gb/mm2密度的4XX层堆叠1Tb容量3DTLCNAND，该闪存采用晶圆键合技术，I/O引脚速率达5.6Gb/s（对应5600MT/s），结合IT之家此前报道预计对应第10代V-NAND。
铠侠-西部数据联盟将介绍I/O引脚速率4.8Gb/s的1Tb3DTLCNAND，该产品读取操作能效提升了29%。
在GDDR7方面，三星电子将介绍42.5Gbps的24Gb产品，应对应今年10月宣布成功开发的型号。
三星电子还将展出第5代10nm级（1bnm、12nm级）工艺的超高速16GbLPDDR5-Ultra-ProDRAM，这一产品的I/O引脚速率达12.7Gb/s，较已量产的10.7Gb/s进一步提升。
而SK海力士则将带来75MB/s编程吞吐量的321层（V9）2TbQLCNAND，这一堆叠数量和单元结构的闪存此前已在今年8月的FMS2024展会上亮相。
SK海力士还将同铠侠一同介绍双方合作开发的新型64GbDDR4STT-MRAM，该存储器件结合了交叉点存储和磁隧道节结构。
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